KBL410 KBL610 Raddrizzatore a ponte in silicio KBPC610 Prodotti a semiconduttore discreti
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: MDD
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KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 Serie KBL
Diodi raddrizzatori a ponte in silicio-Raddrizzatori a ponte - Transistori per prodotti a semiconduttore discreti
Descrizione:
Raddrizzatore a ponte in silicio a foro passante, serie KBL, tipo KBL410, 4 pin, tensione invers... Visualizza di più
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TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP Transistor Bipolari semiconduttori discreti
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Transistor NPN - PNP complementari Prodotti a semiconduttore discreti bipolari
Transistori di potenza complementari
Descrizione:
I dispositivi sono realizzati in tecnologia planare con disposizione ad “isola di base”.I transistor risultanti mostrano... Visualizza di più
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Raddrizzatore a ponte per piano cottura a induzione D15XB100 15A 1000V SIP4
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: SHINDENGEN
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D15X100 D15XB100 SHINDENGEN Raddrizzatori a ponte 15A 1000V SIP4 per piano cottura a induzione
Specifiche tecniche del prodotto
Numero di parte
D15X100
Numero parte base
D15XB100
RoHS dell'UE
Conforme all'esenzione
ECCN (Stati Uniti)
EAR99... Visualizza di più
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Semiconduttori discreti 900V 6A
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: FUJI
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A TO 220F Componenti elettronici
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A A 220F
Specifiche tecniche del prodotto
Numero di parte
FMV06N90E FMH06N90E
Numero parte base
06N90E
RoHS dell'UE
Conforme all'esenzi... Visualizza di più
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Semiconduttori discreti a canale N GT50N322A 50N322 IGBT Montaggio a foro passante
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Toshiba America Electronic Components
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GT50N322A 50N322 Componenti elettronici Toshiba America IGBT Canale N 1000 V 3 pin TO-3P(N) Componenti IGBT DISCRETI
Specifiche tecniche del prodotto
Numero di parte
GT50N322A
Numero parte base
50N322
RoHS dell'UE
Conforme all'esenzione
ECCN (... Visualizza di più
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Infineon HEXFET MOSFET di potenza canale N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET a canale N 55V 30A DPAK Prodotti a semiconduttore discreti
Canale N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) D-Pak a montaggio superficiale
Descrizione
Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elabora... Visualizza di più
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet di potenza IRFB7440PBF 40V 120A
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistori TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistori Canale N 180 A 200 W Foro passante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrizione:
Questo MOSFET di potenza HEXFET... Visualizza di più
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IRF1404ZPBF Transistor a canale N 180A 200W MOSFET FET HEXFET
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IRF1404ZPBF Transistori Canale N 180 A 200 W Foro passante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-220AB Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
... Visualizza di più
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC tiristore 800V 16A semiconduttori discreti
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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BTA16-800CW TRIAC Standard 800 V 16 A Foro passante TO-220 Prodotti a semiconduttore discreti Tiristori --TRIAC Standard 800 V 16 A Foro passante TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Scheda tecnica Snubberless™, livello logico e standard 16 A Triac Applicazioni• Versioni senza snubber (BTA/BTB...W... Visualizza di più
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IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semiconduttore di potenza
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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IHW30N160R2 Transistori IGBT H30R1602 Circuiti integrati semiconduttori di potenza serie Soft Switching IHW30N160R2FKSA1Serie di commutazione morbida
Applicazioni:
• Cottura induttiva
• Applicazioni di commutazione graduale
Descrizione:
TrenchStop® IGBT a conduzione inversa (RC-) con diodo ... Visualizza di più
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IXYS IXGH24 Semiconduttori discreti IGBT ad alta tensione IXGH24N170
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: IXYS
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IXGH24N170 IXYS IGBT ad alta tensione IXGH24 IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Prodotti a semiconduttore discreti
Specifica: IGBT ad alta tensione NPT 1700 V 50 A 250 W Foro passante TO-247AD
Numero di parte
IXGH24N170
Categoria
Prodotti a semicondutt... Visualizza di più
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Semiconduttori discreti BJT del transistor bipolare di PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Nexperia USA Inc.
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Transistor bipolare 500V 0,5 di PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor basso ad alta tensione di NPN VCEsat (BISS)
Transistor basso ad alta tensione discreto dei prodotti-Un NPN VCEsat (BISS) a semiconduttore
Descrizione:
Innovazione bassa ad alta tensione di NPN VCEsat i... Visualizza di più
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FETs dei transistor del MOSFET 49V 80A di N-Manica di BTS282Z E3230 TO220-7
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
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FETs dei transistor del MOSFET 49V 80A di N-Manica di BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET di potere BTS282ZE3230AKSA2 da Infineon Technologies. La sua dissipazione di potere massima è 300000 Mw.
Per assicurare le parti non sono danneggiati dall'imballaggio alla rinfusa, questo prodotto viene in tubo... Visualizza di più
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barriera Schottky Raddrizzatore
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Vishay General Semiconductor
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V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor High Current Density TMBS Trench MOS Barrier Schottky Raddrizzatore DPAK Prodotti a semiconduttore discreti V20PWM45 :Raddrizzatore a montaggio superficiale TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) ad alta densità di corrente VF ultra basso = 0,35 V a IF = 5 A... Visualizza di più
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F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 MODULO IGBT
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: Negotiable
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F3L400R07W3S5B11 650V 200A INVERTITORE a 3 livelli IGBT MODULO F3L400R07W3S5B11BPSA1
F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 MODULO IGBT
Applicazioni:
Controllo del movimento - Apparecchi domestici / motore industriale
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Moduli IGBT NXH160T120L2Q2F2S1G Modulo integrato IGBT Power (PIM) 1200 V 160 A e 650 V 100 A
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: Negotiable
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NXH160T120L2Q2F2S1G Moduli IGBT 1200V 160A e 650V 100A Modulo integrato IGBTPower (PIM)
Modulo integrato di alimentazione PIM IGBT 1200V 160A e 650V 100A NXH160T120L2Q2F2S1G
Applicazioni:
Controllo del movimento - Apparecchi domestici / motore industriale
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NXH450N65L4Q2F2SG Tipo I NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A Diodo Pin a saldare Modulo integrato di alimentazione (PIM)
Prezzo: Negotiated
MOQ: 1
Tempo di consegna: Negotiable
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NXH450N65L4Q2F2SG Tipo I NPC 650V 450A IGBT 650V 375A Diodo pin di saldatura Modulo integrato di alimentazione (PIM)
Applicazioni:
Controllo del movimento - Apparecchi domestici / motore industriale
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MODULO IGBT 20-PIM NXH80T120L2Q0S2G 1200 V 67 A 158 W
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: Negotiable
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NXH80T120L2Q0S2G 1200V 67A 158W 20-PIM IGBT MODULO
NXH80T120 Modulo integrato di alimentazione (PIM) tipo T NPC 1200V 80A IGBT 600V 50A IGBT soldabile NXH80T120L2Q0S2G
Applicazioni:
Controllo del movimento - Apparecchi domestici / motore industriale
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NXH160T120L2Q1SG NXH160T120 IGBT MOD 1200 V 140 A 280 W 30-PIM
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: Negotiable
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NXH160T120 Moduli IGBT 1200V 140A 280W Modulo integrato di potenza IGBT (PIM)
NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM NXH160T120L2Q1SG
Applicazioni:
Controllo del movimento - Apparecchi domestici / motore industriale
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Amplificatore controllato IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS del bus di I2C
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Philip
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Amplificatore controllato IC di efficienza del bus di TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C migliore
Riassunto delle caratteristiche
Il TDF8546 è uno di una nuova generazione di audio amplificatori di potenza del carico Ponte-legati quadrato complementare (BTL) destinati alle appl... Visualizza di più
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