DF10S2 DF10S Diodo raddrizzatore a ponte monofase 1KV 1.5A 4 Pin SDIP SMD
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Diodes Incorporated
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DF10S2 DF10S Diodo a ponte raddrizzatore Singolo 1KV 1,5 A 4 pin SDIP Diodi SMD incorporati
DF10S2 Diodo a ponte raddrizzatore singolo 1KV 2A 4 pin
Diodo a ponte raddrizzatore DF10S singolo 1KV 1A 4 pin
DF005S
DF01S2
DF02S2
DF04S
DF06S
DF08S
Specifica:
Numero di parte
DF10S2
Categoria
... Visualizza di più
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60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Diodes
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DMT6009LSS-13 singoli transistor di Manica 60V 10.8A del MOSFET N
Semiconduttore discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dei FETS
Specificazione DMT6009LSS-13:
Numero del pezzo
DMT6009LSS-13
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Tra... Visualizza di più
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Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
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Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione di Ultra-Alto-velocità
1. Applicazioni
• Commutazione di Ultra-Alto-velocità
2. Caratteristiche
(1) AEC-Q101 qualificato
Caratteristica
Commutazione ad alta velocità
Collegamento interno... Visualizza di più
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1N5822 SS34 Diodo raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale 3.0A 40V
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: JI/ONSEMI
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1N5822 SS34 Raddrizzatore a barriera Schottky 3.0A 40V adatto per l'uso come raddrizzatori in inverter ad alta frequenza a bassa tensione
Il raddrizzatore Schottky utilizza il principio della barriera Schottky in un diodo di potenza metallo-silicio di ampia area.
La geometria all'avanguardia de... Visualizza di più
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Raddrizzatore a ponte del MOSFET dei transistor dei diodi di raddrizzatore della barriera di SS36 SMB Schottky IC
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: vishay/ours
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componente elettronico montato di superficie dei raddrizzatori a ponte del MOSFET dei transistor del diodo di raddrizzatore della barriera di 3A SS36 SMB Schottky
Nome:
diodo di raddrizzatore della barriera del pacchetto SMD Schottky di 3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/... Visualizza di più
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TDA7297 TDA7294V Amplificatore audio IC AMP AB MONO 100W 15 Multiwatt
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
AMPLIFICADOR DE AUDIO Amplificatore IC Componenti elettronici
Amplificatore audio DMOS 100 V, 100 W con mute/st-by
Dettagli del prodotto
Descrizione:
Il TDA7294 è un circuito integrato monolitico in package Multiwatt15, destin... Visualizza di più
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2N7002K 2V7002K Diodi Transistori N Canale Segnale Mosfet 60V 380mA
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Onsemi
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2N7002K 2V7002K Mosfet di segnale N-Channel Piccoli componenti a semiconduttore 60V 380mA Moduli discreti e di potenza
2N7002K 2V7002K MOSFET a canale N a piccolo segnale 60 V 380 mA
Applicazioni:
Interruttore di carico laterale basso
Circuiti di spostamento del livello
Convertitore CC-C... Visualizza di più
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1SMB5918B Diodo Zener da 5,1 V DO-214AA SMB a semiconduttore discreto
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Rectron/OEM
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1SMB5918B Diodo Zener ±5% Montaggio superficiale DO-214AA Semiconduttore discreto SMB
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Zener - Singoli
Numero di parte
1SMB5918B
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
Attivo
Tensione - Zener (N... Visualizza di più
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Transistor ultraveloci dei diodi di STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10pieces
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: STMicroelectronics
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STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultraveloce 31 A 600 V IGBT veloce stesso con il diodo ultraveloce
Transistor - IGBTs - singolo 31 A, 600 V, IGBT molto veloce con il diodo ultraveloce
Dettagli del prodotto
Descrizione:
Questo dispositivo è un IGBT ultraveloce.
Utilizza il processo avanzat... Visualizza di più
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SMC B530C Diodi Zener Transistori 30V 5A Diodo Schottky di alimentazione
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: JI
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Diodo Zener B530C SCHOTTKY 30V 5A SMC semiconduttore discreto
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Diodo SCHOTTKY
Numero di parte
B530C
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
Attivo
Tensione - Zener (Nom) (Vz)
30 V
Tolleranza
... Visualizza di più
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Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: FAIRCHILD/ONSEMI
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Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 MINI-MELF SOD80 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo
Il diodo di commutazione vetro-incluso ll-34 presentato da gaot ha l'alte stabilità ed affidabilità, corrente inversa bassa di perdita,
velocità di commutazione più di meno ... Visualizza di più
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Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: ROHM Semiconductor
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Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin DTC123YUAT106 a semiconduttore di DTC123YUA ROHM
Serie di DTC123YUA 50 V 100 transistor di superficie del supporto NPN Digital di mA - SC-70
Numero del prodotto relativo:
Parte di Mfr #
Descrizione
Pacchetto
DTC123EM3T5G
Trasporto P... Visualizza di più
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GP BJT NPN 60V 50mA Diodi Transistori CMPT2484 Semiconduttore centrale
Prezzo: Negotiated
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Central Semiconductor
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CMPT2484 Transistori a diodi a semiconduttore centrale GP BJT NPN 60 V 50 mA 3 pin SOT-23 a semiconduttore discreto
Specifica:
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Diodi - Diodo SCHOTTKY
Numero di parte
CMPT2484TR
Pacchetto
Nastro e bobina (TR)
Stato della parte
... Visualizza di più
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Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV
Prezzo: Negotiated
MOQ: 100pcs
Tempo di consegna: 2-15days
Marca: Toshiba Semiconductor
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Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV
Caratteristiche
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
Mfr
Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
Serie
... Visualizza di più
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