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| Prezzo | Negotiable |
| MOQ | 1kg |
| Tempo di consegna | Depends on quantity |
| Marca | Huitong |
| Luogo di origine | Yiyang, Cina |
| Certification | SGS |
| numero di modello | Fibra ultrafina corta |
| Packaging Details | Paper carton |
| Condizioni di pagamento | L/C,T/T |
| Capacità di approvvigionamento | 500 kg/mese |
| Brand Name | Huitong | numero di modello | Fibra ultrafina corta |
| Certification | SGS | Luogo di origine | Yiyang, Cina |
| Quantità minima d'ordine | 1 kg | Price | Negotiable |
| Condizioni di pagamento | L/C,T/T | Capacità di approvvigionamento | 500 kg/mese |
| Tempo di consegna | Dipende dalla quantità | Packaging Details | Paper carton |
| Lunghezza | 80-100um | Imballaggio | Flessibile |
| Applicazione | Soluzione Filtri Gas Semiconduttori/Gas di Elevata Purezza | Materiale | Acciaio inossidabile 316L/Hastelloy C22/C59/Nickel 200 |
| Diametro | 1um/1.5um/2um |
Elemento di filtraggio metallico da 1 μm(in nanoscala)per la depurazione dei gas di processo mediante semiconduttori
Tipo di prodotto: fibre corte in acciaio inossidabile 316L ultrafine
Diametro della fibra: 1um/1.5um/2um disponibile
Lunghezza di taglio: 80-100um
Composizione chimica della materia prima ((Wt%))
|
Elementi |
C |
- Sì. |
M
|
Ni
|
Cr
|
Mo.
|
S
|
P
|
|
Norme
|
≤
0.03
|
≤
1.00
|
≤
2.00
|
10
~
14
|
16
~
18
|
2
~
3
|
≤
0.03
|
≤
0.045
|
|
Valore
|
0.028
|
0.56
|
0.5
|
10.85
|
16.97
|
2.1
|
0.003
|
0.027
|
Nella produzione di semiconduttori, il mantenimento di gas di processo di ultraalta purezza è fondamentale per prevenire i difetti e garantire elevati rendimenti.i filtri metallici svolgono un ruolo fondamentale nella depurazione dei gas rimuovendo i contaminanti di particolato e contribuendo allo stesso tempo al controllo della contaminazione molecolare nell'aria,che è essenziale per la fabbricazione avanzata di wafer.
Filtrazione ad alta efficienza (1μm di ritenzione)
Cattura particelle sotto-microniche che potrebbero causare difetti nei processi di fotolitografia, incisione e deposizione.
Riduce il rischio di contaminazione della superficie del wafer, migliorando la resa.
Inerte chimicamente e resistente alla corrosione
Prodotto da materiale di alta purezzaAcciaio inossidabile (316L), nichel o leghe sinterizzateper la compatibilità con gas aggressivi (ad esempio HF, HCl, NH3).
Resiste alla fuoriuscita di gas, evitando ulteriori contaminazioni.
Capacità di controllo AMC
Alcuni filtri metallici avanzati incorporanotrattamenti o rivestimenti superficiali(ad es. passivazione, elettropolizia) per ridurre al minimo l'adsorbimento/desorbimento di sostanze organiche volatili o acidi.
Aiuta a incontrareSEMI F21 AMC classe 1requisiti per processi sensibili come la litografia EUV.
Resistenza alle alte temperature e alla pressione
prestazioni stabili in condizioni difficili (fino a 500 °C o più per alcune leghe).
Adatto per:CVD, diffusione e impianto ionicolinee di gas.
Lunga durata e pulizia
Riutilizzabile dopo la pulizia (metodi ad ultrasuoni, chimici o termici), riducendo i costi di proprietà.
Progettazione di goccia a bassa pressione per un flusso di gas energeticamente efficiente.
Fornitura di gas ad altissima purezza (UHP)(N2, Ar, H2, O2, ecc.)
Processi di incisione e deposizione(CVD, PVD, ALD)
Fotolitografia(ambienti EUV/DUV sensibili alle AMC)
Filtrazione di gas sfusi e filtrazione al punto di utilizzo (PoU)
Durabilità superiorecontro i filtri polimerici (che possono degradare e eliminare le particelle).
Nessuna perdita di fibrea differenza dei filtri HEPA/ULPA tradizionali.
Migliore attenuazione dell'AMCrispetto ai filtri di particolato standard.
SEMI F20(Controllo delle particelle)
SEMI F21(Classificazione AMC)
ISO 14644-1(Norme per le stanze pulite)
Medi filtranti metallici da 1 μmè una soluzione robusta per la depurazione dei gas semiconduttori, che combinafiltrazione dei particolati, controllo AMC e resistenza chimicaper soddisfare le rigide esigenze della fabbricazione avanzata di wafer.
